| 描述 | MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 | 家庭 | FET - 单 |
|---|---|---|---|
| 系列 | MDmesh? | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 33A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 79 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4650pF @ 100V | 功率 - 最大 | 190W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 | 包装 | 管件 |
| 工具箱 | 497-8012-KIT-ND - KIT MOSFET MD MESH | 其它名称 | 497-8791-5 |
功率半导体产品的全球领导者意法半导体宣布，功率mosfet芯片性能方面取得巨大突破，最新的mdmesh v技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。mdmesh v让新一代650v mosfet将rds(on)降到0.079ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。 33a的stp42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品，采用to-220封装，导通电阻0.079ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的rds(on)。stx42n65m5全系列产品还提供其它的封装选择，包括d2pak贴装以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量产的stx16n65m5系列也是650v产品，额定rds(on) 为0.299 ω，额定电流为12a。意法半导体的mdmesh v 650v mosfet技术蓝图还包括电流更大的产品，采用max247封装的产品rds(on)低至0.022ω，to-247封装低至0.038ω。这些产品计划在2009年3月上市。 “mdmesh v产品在 ...
意法半导体是功率半导体产品的全球领导者，近日宣布：最新的mdmesh v技术功率mosfet芯片性能方面取得巨大突破，达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。mdmesh v让新一代650v mosfet将rds(on)降到0.079ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。 33a的stp42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品，采用to-220封装，导通电阻0.079ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的rds(on)。stx42n65m5全系列产品还提供其它的封装选择，包括d2pak贴装以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量产的stx16n65m5系列也是650v产品，额定rds(on) 为0.299 ω，额定电流为12a。意法半导体的mdmesh v 650v mosfet技术蓝图还包括电流更大的产品，采用max247封装的产品rds(on)低至0.022ω，to-247封装低至0.038ω。这些产品计划在2009年3月上市。 “mdmesh ...
