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STP50NE10L

描述MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.02 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间45 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)45 S
最小工作温度- 65 C功率耗散150 W
上升时间105 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间135 ns

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