| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 60A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 66nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V | 功率 - 最大 | 110W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-5895-5STP60NF06L-ND |
供的适合作同步整流的mosfet产品型号、规格列在表2中。表2 st公司提供的专用于同步整流器超低导通电阻的mosfet新品规格p/n vdss/v rds(on)@5v/mω id(cont)/a stp100nf03l－03 30 4.5 100 stp80nf03l－04 30 5 80 stp90nf03l 30 12 90 stp85nf3ll 30 9 85 stp70nf3ll 30 12 70 stp100nf04l 40 5 100 stp80nf55l－06 55 8 80 stp60nf06l 60 16 60 stp80nf75l 75 13 80 stp40nf10l 100 36 40 该电路板，能在反激式变换器中，很容易地将二极管整流改变为mosfet同步整流。 2.11 主芯片stsr3印刷电路板的设计布局任何一种高频开关电源，都需要一个良好的pcb设计布局，以实现整机系统性能的最高指标，并解决干扰的辐射传导问题。电路板上元器件的排放位置、引脚走线和宽度等，都是主要的课题。本文将给出一些基本的规则，使pcb设计者能制作出良好的stsr3电路板布局。图21 在pc ...
r1和r2分压，大约9v，足可以驱动n-mosfet stp60nf06l。 ...
