| 描述 | MOSFET N-Ch 30 Volt 85 Amp | 漏极连续电流 | 85 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.008 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220 | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 36.5 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 30 S |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 110 W |
| 上升时间 | 130 ns | 工厂包装数量 | 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 36.5 ns |
是必需的，例如，当原边开关截止时如果没有振铃出现，那么r24，d15，r25和c11就可以删掉。用to220塑壳封装的同步mosfet可装配在电路板上。st公司提供的适合作同步整流的mosfet产品型号、规格列在表2中。表2 st公司提供的专用于同步整流器超低导通电阻的mosfet新品规格p/n vdss/v rds(on)@5v/mω id(cont)/a stp100nf03l－03 30 4.5 100 stp80nf03l－04 30 5 80 stp90nf03l 30 12 90 stp85nf3ll 30 9 85 stp70nf3ll 30 12 70 stp100nf04l 40 5 100 stp80nf55l－06 55 8 80 stp60nf06l 60 16 60 stp80nf75l 75 13 80 stp40nf10l 100 36 40 该电路板，能在反激式变换器中，很容易地将二极管整流改变为mosfet同步整流。 2.11 主芯片stsr3印刷电路板的设计布局任何一种高频开关电源，都需要一个良好的pcb设计布局，以实现整机系统性能的最高指标，并解决干扰的辐射传 ...
