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STP9NB50

描述MOSFET RO 512-FQP9N50电阻汲极/源极 RDS(导通)0.85 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220
封装Tube下降时间11 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散125 W
上升时间11 ns工厂包装数量50

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