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  • STS1HNK60

STS1HNK60

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3.7V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds156pF @ 25V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称497-3530-2

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