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  • STS2DPFS20V

STS2DPFS20V

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOICFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4.7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds315pF @ 15V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称497-3225-2STS2DPFS20V-E

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