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  • STS8C5H30L

STS8C5H30L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.74
  • 10$1.538
  • 25$1.388
  • 100$1.2146
  • 250$1.06524
描述MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOICFET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A,5.4A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds857pF @ 25V功率 - 最大2W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO包装Digi-Reel?
其它名称497-4398-6

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