| 描述 | TRANSISTOR NPN 150V 5A TO-92 | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 5A | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 450mV @ 200mA，5A | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 150 @ 2A，1V | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 频率 - 转换 | 130MHz | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | 497-3235 |
8月7日讯，意法半导体(stm)今天推出两款电流-增益特性优异、超低集电极-发射极饱和电压和开关速度快的低压功率双极晶体管stsa851和stn851。两款器件瞄准应急照明和汽车应用，同样也适用于电压调节器、冷阴极荧光照明系统、报警系统、高效低压开关电源和继电器驱动器。 在这两款器件中，stsa851采用to-92封装，在环境温度25度时，额定总功率1.1 w。stn851 采用sot-223封装，额定总功率1.6w。两款器件都采用npn平面制造技术，基底小岛布局有助于提高增益，降低饱和电压，降低产品成本和器件尺寸(同一电气性能，芯片减少30%)，但同时不牺牲任何效率。 主要电气特性: p/n vces (v) vcesat (mv)ic=5a ib=200ma hfe (a)ic=5a vce=1v 封装 stsa851 150 <450 >90 to-92* stn851 150 <450 >90 sot-223 此外 ...
