| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10.5 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 965pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 497-4755-2 |
意法半导体日前推出多款基于stripfet技术的低压n沟道场效应mos晶体管。stripfet技术采用优化布局和最新工艺，提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性，并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率，主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括sts12nh3ll、stsj50nh3ll、std55nh2ll、std95nh02l、stl8nh3ll和stl50nh3ll。 其中，sts12nh3ll是一款30v器件，额定电流12a。stsj50nh3ll也是一款30v器件，额定电流50a。这两款产品在10v时典型通态电阻均是0.008ω，在4.5v时，通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。sts12nh3ll采用so-8封装，stsj50nh3ll采用powerso-8封装。 而std55nh2ll则是一款24v的器件，额定电流55a。10v时，典型通态电阻0.01ω，4.5v时为0.012ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计，它采用ipak (to-251)通孔封装和表面组装dpak ...
