| 描述 | DIODE BOOST TANDEM 600V TO-220AB | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 3.6V @ 8A |
|---|---|---|---|
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 10?A @ 600V | 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管） | 8A |
| 电压 - (Vr)（最大） | 600V | 反向恢复时间(trr) | 30ns |
| 二极管类型 | 标准 | 速度 | 快速恢复 = 200mA（Io） |
| 二极管配置 | 1 对串联 | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-5413-5STTH806TTI-ND |
几百安培/微秒）。 在此有两种功耗： 在二极管中的导电和开关功耗； 由于二极管的反向恢复电流引起的在晶体管中的功耗。 图2示出同一pfc用不同的二极管（普通的600v二极管stta806d或600v tandem stth806 tti)的功耗比较，这些结果是在如下工作条件下得到的：pout=400w,fs=150khz,di/dt=200a/μs,tj=125℃，vmains=110v。从图2可清楚地看到：开关功耗的主要部分是在mos晶体管中；用600v tandem(stth806tti)的总功耗比用普通600v二极管（stta806d）要低，这是由于二极管的小恢复电流所致。 tandem二极管选择指标 600v tandem和普通600v二极管之间的选择主要取决于下面的参数： 开关频率fs; 最小和最大电源电压vmains; 二极管的工作结温tj。 1.开关频率fs的影响 开关频率越高，超高速stth806tti比普通的600v二极管更优越。 2.电源电压vmains的影响 图3示出普通600v二极管（stta806d）和ssth806 ...
【STMicroelectronics】STTH810D,DIODE ULT FAST 1000V 8A TO-220AC
【STMicroelectronics】STTH810DI,DIODE ULT FAST 1000V 8A TO-220
【STMicroelectronics】STTH810FP,DIODE UFAST 1000V 8A TO-220FPAC
【STMicroelectronics】STTH810G-TR,DIODE ULT FAST 1000V 8A D2PAK
【STMicroelectronics】STTH812D,DIODE ULT FAST 1200V 8A TO-220AC