| 描述 | MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 430 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 900pF @ 100V | 功率 - 最大 | 70W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装 | I-Pak | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-11401-5STU12N65M5-ND |
