| 描述 | MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 | 系列 | STripFET? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 250A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.2 毫欧 @ 75A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 | 供应商设备封装 | PowerSO-10 |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 497-7030-6 |
意法半导体(st)宣布推出一款250a表面贴装的功率mosfet，新产品stv250n55f3据称拥有最低的导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能。 新产品stv250n55f3是首款结合st powerso-10tm封装和ribbon bonding技术的功率mosfet，拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用st的高密度stripfet iii制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。stripfet iii的其它优点包括：开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外，九线 的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300w。 新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保晶片的可靠性和稳固性。 在同一个系列产品 ...
意法半导体(st)宣布推出一款250a表面安装的功率mosfet，新产品stv250n55f3据称拥有市场上最低的导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能。 新产品stv250n55f3是首款结合st powerso-10tm封装和ribbon bonding技术的功率mosfet，拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用st的高密度stripfet iii制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。stripfet iii的其它优点包括︰开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外，九线的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300w。 新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保芯片的可靠性和稳固性。 在同一个系列产品，s ...
