您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > stw10nb60

STW10NB60

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：10 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET N-CH 600V 10A	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.8 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-247
封装	Tube	下降时间	10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	6.5 S	最小工作温度	- 65 C
功率耗散	160 W	上升时间	11 ns
工厂包装数量	30

stw10nb60的相关型号：