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STW11NM65N

描述MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet漏极连续电流12 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.38 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-247封装Tube
下降时间20 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散125 W上升时间13 ns
典型关闭延迟时间55 ns

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