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  • STW15NB50

STW15NB50

参考价格

  • 数量单价
  • 1$5.51
  • 10$4.794
  • 100$3.57
  • 250$3.06
  • 500$2.856
描述MOSFET N-CH 500V 14.6A TO-247FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 7.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3400pF @ 25V
功率 - 最大190W安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247-3
包装管件其它名称497-2664-5

“STW15NB50”技术资料

  • 一种基于DDS技术的电磁超声激励电源计设

    功率放大电路和阻抗匹配电路设计 为了增大电磁超声波的强度,需将激励信号的功率进一步放大。根据电磁超声波的强度与电流的平方成正比,可利用功率放大电路实现信号电流的放大。 功率放大电路采用大功率管(mosfet)组成半桥功率放大电路。mosfet具有开关速度快,可承受高压,且高频特性好,输入阻抗高,驱动功率小,无二次击穿问题等特点。栅极驱动的要求是触发脉冲有足够快的上升和下降速度。要使功率mosfet充分导通,触发脉冲的电压要高于功率mosfet的开启电压。mosfet管的类型很多,如stw15nb50,irf840等。在该设计中选用stw15nb50,其最短开通时间为24 ns,关断时间为15 ns,漏源电压vds可达到500 v,峰值脉冲电流58 a,能够满足设计要求。 图3为半桥功率放大电路,r1,r2为桥平衡电阻;c1,c2为桥臂电容;d1,d2为桥开关吸收电路元件。其工作原理如下:两个反相的方波激励信号分别接到两个开关管的基极,当ho为高电平,lo为低电平时,q1导通,q2关闭,电流通过q1至变压器初级向电容c2充电,同时c1上的电荷向q1和变压器初级放电,从而在输出变压器次级 ...

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