| 描述 | MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 9.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 160W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 包装 | 管件 |
