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  • STW25NM60N

STW25NM60N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 21A TO-247FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs84nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 50V
功率 - 最大160W安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247-3
包装管件其它名称497-5025-5

“STW25NM60N”技术资料

  • ST发布基于第二代MDmesh技术的新产品

    品系列包括分别采用to-247、to-220、to-220fp和d2pak/i2pak封装的500v、140mω的stw25nm50n、stp25nm50n、stf25nm50n和stb25nm50nt4/-1;分别采用dpak、to-220、to-220fp和d2pak封装的500v、380mω的std12nm50nt4、stp12nm50n、stf12nm50n、stb12nm50nt4;分别采用to-247、to-220、to-220fp和d2pak/i2pak封装的600v、170mω的stw25nm60n、stp25nm60n、stf25nm60n、stb25nm60nt4/-1。这些元器件适用于90w到1000w的各种电源应用。 新产品现已量产,订 购1,000件的价格区间在1.4到1.7美元(仅供参考),具体价格视器件而定。 来源:小草 ...

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