| 描述 | MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 51A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5800pF @ 50V | 功率 - 最大 | 350W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-7036-5 |
stw55nm60nd快速恢复mosfet晶体管新产品系列提高了开关性能，使导通电阻实现超过18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超结fdmesh ii系列产品的首款产品，这是一款600v n沟道mosfet晶体管，0.060欧姆的导通电阻在快速恢复mosfet晶体管市场上创下最低记录，采用工业标准的to-247封装。由于最大漏极电流达到51a，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个mosfet晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率，新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。 新的fdmesh超结架构在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有极低的导通电阻。其中，st ...
意法半导体推出快速恢复mosfet晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超结fdmesh™ ii系列产品的首款产品，这是一款600v n沟道mosfet晶体管，0.060欧姆的导通电阻在快速恢复mosfet晶体管市场上创下最低记录，采用工业标准的to-247封装。由于最大漏极电流达到51a，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个mosfet晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率，新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。 为把这些改进的性能变为现实，st对fdmesh超结架构进行了技术改进，在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值 ...
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意法半导体(st)推出超结fdmesh ii系列快速恢复mosfet晶体管新产品stw55nm60nd，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超结fdmesh ii系列产品的首款产品，这是一款600v n沟道mosfet晶体管，0.060欧姆的导通电阻，采用工业标准的to-247封装。由于最大漏极电流达到51a，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个mosfet晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率，新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。 为把这些改进的性能变为现实，st对fdmesh超结架构进行了技术改进，在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 ...
