| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 40A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3850pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-3266-5 |
【STMicroelectronics】STW81100AT-1,IC SYNTHESIZER MULTI RF 28VFQFPN
【STMicroelectronics】STW81100ATR-1,IC SYNTHESIZER MULTI RF 28VFQFPN
【STMicroelectronics】STW81101AT,IC SYNTHESIZER MULTI RF 28VFQFPN
【STMicroelectronics】STW81101ATR,IC SYNTHESIZER MULTI RF 28VFQFPN
【STMicroelectronics】STW81102AT,IC SYNTHESIZER MULTI RF 28VFQFPN
【STMicroelectronics】STW81102ATR,锁相环路 (PLL) WIRELESS INFRASTR.