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SUB50P05-13LT

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 55 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：10.7 A

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产品属性

描述	MOSFET 55V 50A 200W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.48 Ohms
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TO-263
封装	Tube	功率耗散	200 W
工厂包装数量	800

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