您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sub70n03-09p-e3

SUB70N03-09P-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET 30V 70A 93W漏极连续电流70 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)9 mOhms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263-3封装Tube
下降时间12 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散93 W上升时间7 ns
工厂包装数量800商标名TrenchFET
典型关闭延迟时间35 ns

sub70n03-09p-e3的相关型号: