您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sub85n02-06

SUB85N02-06

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20V 85A 120W	漏极连续电流	85 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-3	封装	Tube
下降时间	100 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	250 W	上升时间	120 ns
工厂包装数量	800	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	80 ns

sub85n02-06的相关型号：