您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sud19n20-90

SUD19N20-90

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：200 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 200V 17.5A 100W	漏极连续电流	19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	90 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3	封装	Reel
下降时间	60 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3 W	上升时间	50 ns
工厂包装数量	2000	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	30 ns

sud19n20-90的相关型号：