描述 | MOSFET N-CH 20V 30A TO252 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | - |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6 毫欧 @ 30A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 600mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 130nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6600pF @ 20V |
功率 - 最大 | 100W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252,(D-Pak) |
包装 | 带卷 (TR) |