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SUD50N025-09BP-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
840￥6.29
1000￥4.98
2000￥3.86
5000￥3.76
10000￥3.66

产品属性

描述	MOSFET 25V 62A 55W 8.6mohm @ 10V	漏极连续电流	26 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	8.6 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DPAK	封装	Reel
下降时间	8 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	10000 mW	上升时间	8 ns, 15 ns
工厂包装数量	2000	典型关闭延迟时间	20 ns, 17 ns

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