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SUD50N04-8M8P-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：40 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1630￥4.07
2000￥4.07

产品属性

描述	MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V	漏极连续电流	14 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0088 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252AA	封装	Reel
下降时间	15 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3.1 W	上升时间	15 ns
典型关闭延迟时间	45 ns

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