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SUD50NP04-94-T4-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:40 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V, +/- 16 V
产品属性
描述MOSFET 40V 8.0A 13.2/15.6W 41/53mohm @ 10V漏极连续电流8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.041 Ohms, 0.053 Ohms配置Dual Common Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Reel
下降时间64 ns, 47 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散5.9 W, 6.1 W上升时间60 ns, 91 ns
工厂包装数量2000典型关闭延迟时间30 ns, 34 ns

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