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SUM60N04-06T-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：40 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
265￥27.95
400￥15.94
800￥13.18
1600￥11.59

产品属性

描述	MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode	漏极连续电流	60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	5.5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	D2PAK-5	封装	Reel
下降时间	80 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3.75 W	上升时间	150 ns
工厂包装数量	800	典型关闭延迟时间	60 ns

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