您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sup33n20-60p-e3

SUP33N20-60P-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：200 V
闸/源击穿电压：+/- 25 V

发布求购更多供应商

参考价格

数量单价
135￥32.09
250￥30.36
500￥27.39
1000￥18.29
2000￥17.39

产品属性

描述	MOSFET 200V 33A 156W	漏极连续电流	33 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.06 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AB	封装	Tube
下降时间	9 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3.12 W	上升时间	170 ns
工厂包装数量	500	典型关闭延迟时间	26 ns

sup33n20-60p-e3的相关型号：