描述 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7 毫欧 @ 30A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.75W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |