描述 | 射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB | 漏源电压 VDS | 28 V |
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闸/源击穿电压 | - 3.7 V | 漏极连续电流 | 1.5 A |
最大工作温度 | + 200 C | 功率耗散 | 26 W |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | EAR99 |
封装 | Bulk |
【TriQuint Semiconductor】T1G6001528-Q3-EVB1,射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD
【TriQuint Semiconductor】T1G6003028-FS,功率放大器 DC-6GHz 28Volt 30W GaN on SiC HEMT
【TriQuint Semiconductor】T1G6003028-FS-EVB1,放大器 IC 开发工具 5.4-5.9GHz EVAL BRD
【TriQuint Semiconductor】T1G6003028-SP,功率放大器 20MHz- 6000MHz 25W 28Volts