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TC0205AD-T1

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:250 mA, - 180 mA
产品属性
描述MOSFET 20V .25/.18A电阻汲极/源极 RDS(导通)2 Ohms at 4.5 V, 3.8 Ohms at - 4.5 V
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363-6
封装Reel下降时间9 nS, 9 nS
正向跨导 gFS(最大值/最小值)150 mS, 200 mS栅极电荷 Qg300 pC, 300 pC
最小工作温度- 55 C功率耗散200 mW
上升时间25 nS, 25 nS工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间19 nS, 19 nS

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