| 描述 | MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA，2.4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 25V，200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-VDFN（6x5） |
