| 描述 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-300% | 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
|---|---|---|---|
| 绝缘电压 | 5000 Vrms | 电流传递比 | 300 % |
| 最大正向二极管电压 | 1.6 V | 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最大功率耗散 | 265 mW | 最大工作温度 | + 110 C |
| 最小工作温度 | - 40 C | 封装 / 箱体 | PDIP-4 |
| 封装 | Tube | 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大反向二极管电压 | 6 V | 输出设备 | Phototransistor |
| 输出类型 | DC | 工厂包装数量 | 5000 |
TCET1116G,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-300%
TCET1117,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 80-160%
TCET1117G,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 80-160%
TCET1118G,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>130-260%
TCET1119G,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>200-400%