| 描述 | 功率驱动器IC Advanced IGBT MOSFET Driver | Supply Voltage - Min | 12 V |
|---|---|---|---|
| 电源电流 | 2.5 mA | 最大功率耗散 | 500 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube | 配置 | Inverting |
| 最小工作温度 | - 40 C | 激励器数量 | 1 |
| 输出端数量 | 1 | 工厂包装数量 | 100 |
【STMicroelectronics】TD351IDT,IC DRIVER GATE IGBT/MOSFET 8SOIC
【STMicroelectronics】TD352ID,功率驱动器IC Advanced IGBT MOSFET Driver
【STMicroelectronics】TD352IDT,IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC
【TXC CORPORATION】TD-36.000MBD-T,标准时钟振荡器 36.000MHz 3.3V 25ppm -40C to 85C
【TXC CORPORATION】TD-36.000MCD-T,标准时钟振荡器 36.000MHz 2.5V 25ppm -40C to 85C