| 描述 | PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500μA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250 MHz |
| 功率 - 最大值 | 320 mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
