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  • TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:Benand?
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
产品属性
描述IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA存储器类型非易失
存储器格式闪存技术FLASH - NAND(SLC)
存储容量4Gb存储器组织512M x 8
存储器接口并联时钟频率-
写周期时间 - 字,页25ns访问时间25 ns
电压 - 供电1.7V ~ 1.95V工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型封装/外壳67-VFBGA
供应商器件封装67-VFBGA(6.5x8)

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