| 描述 | JFET GP N-CH 30V TO-92 | 漏极至源极电压(Vdss) | - |
|---|---|---|---|
| 漏极电流 (Id) - 最大 | - | FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V | 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 800mV @ 4nA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 18pF @ 10V（VGS） | 电阻 - RDS（开） | 60 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 包装 | 散装 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
【Fairchild Semiconductor】TIS93_J35Z,TRANS GP PNP 40V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】TIS93_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP/ -40V/ -800mA
【Fairchild Semiconductor】TIS97_D26Z,TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO-
【Fairchild Semiconductor】TIS97_D74Z,TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO-
【Fairchild Semiconductor】TIS97_J35Z,TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO-