| 描述 | 硅对称二端开关元件 Dual P Gate Forward Conducting | 正向电压下降 | 4 V |
|---|---|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 封装 | Tube | 工厂包装数量 | 75 |
【Bourns】TISP61511DR,硅对称二端开关元件 Dual P Gate Forward Conducting
【Bourns】TISP61511DR-S,硅对称二端开关元件 Dual P Gate Forward Conducting
【Bourns】TISP61511D-S,硅对称二端开关元件 Dual P Gate Forward Conducting
【Bourns】TISP61521DR,硅对称二端开关元件 Dual P Gate Forward Conducting
【Bourns】TISP61521DR-S,硅对称二端开关元件 Dual P Gate Forward Conducting