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  • TK20J60W,S1VE

TK20J60W,S1VE

  • 制造商:-
  • 现有数量:24现货
  • 价格:1 : ¥42.61000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)155 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)48 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1680 pF @ 300 VFET 功能-
功率耗散(最大值)165W(Tc)工作温度150°C
安装类型通孔供应商器件封装TO-3P(N)
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3

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