| 描述 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP( | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
