描述 | MOSFET N CH 100V 148A TO220 | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 148A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.8 毫欧 @ 32.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 81nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5400pF @ 50V | 功率 - 最大 | 192W |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 | 包装 | 管件 |
其它名称 | TK65E10N1S1X |