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TK65E10N1,S1X

  • 制造商:-
  • 数据列表:TK65E10N1
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$3.36
  • 10$3
  • 25$2.7
  • 100$2.46
  • 250$2.22
产品属性
描述MOSFET N CH 100V 148A TO220FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C148A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫欧 @ 32.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5400pF @ 50V功率 - 最大192W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220包装管件
其它名称TK65E10N1S1X

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