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TN0200T

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V
漏极连续电流：0.73 A

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产品属性

描述	MOSFET 20V 1.2A 0.35W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	400 mOhms at 4.5 V
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TO-236-3
下降时间	14 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	350 mW	上升时间	14 ns
工厂包装数量	1000	典型关闭延迟时间	21 ns

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