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TN2219A_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr直流集电极/Base Gain hfe Min100
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-226
封装Bulk集电极连续电流1 A
最小工作温度- 55 C功率耗散1 W

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