描述 | TRANS GP NPN 80V TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 1.2A |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 1V @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 40 @ 250mA,2V |
功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 50MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】TN6707A_Q,Transistors Bipolar (BJT) 80V NPN Center Collector
【Fairchild Semiconductor】TN6714A_D26Z,TRANS BIPO GPA NPN 30V 2A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6714A_D27Z,TRANS BIPO GPA NPN 30V 2A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6714A_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN6715A,TRANS GP NPN 40V 1.5A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6715A_D74Z,TRANS BIPO GP NPN 40V 1.5A TO-22
【Fairchild Semiconductor】TN6715A_D75Z,TRANS BIPO GP NPN 40V 1.5A TO-22