| 描述 | TRANS GP NPN 80V 1.2A TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1.2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 350mV @ 10mA，250mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 250mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
| 其它名称 | TN6717A-NDTN6717AFS |
【Fairchild Semiconductor】TN6717A_D29Z,Transistors Bipolar (BJT) NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN6717A_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN6718A_D74Z,TRANS BIPO GPA NPN 100V 1.2A TO-
【Fairchild Semiconductor】TN6718A_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN BIPOLAR TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6719A,TRANS GP NPN 300V 200MA TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6719A_D27Z,TRANS BIPO NPN HV 300V 200MA TO-
【Fairchild Semiconductor】TN6719A_D75Z,TRANS BIPO NPN HV 300V 200MA TO-