| 描述 | MOSFET P-CH D-S 30-V | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 385mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 31pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
