| 描述 | MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 350 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85mA（Tj） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 欧姆 @ 200mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-DFN（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
