| 描述 | 650 V 34 A GAN FET | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | GaNFET（氮化镓） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 22A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.8V @ 700μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000 pF @ 400 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 119W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
